Produit Eegeschafte
TYPE
BESCHREIWEN
Kategorie
Diskret Semiconductor Produkter
Transistor - FET, MOSFET - Single
Fabrikant beschwéiert
Infineon Technologies
Serie
CoolGaN™
Package
Tape and Reel (TR)
Schéierband (CT)
Digi-Reel® Benotzerdefinéiert Reel
Produit Status
gestoppt
Typ FET
N Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source Volt (Vdss)
600V an
Stroum bei 25°C - Kontinuéierlech Drain (Id)
31A (Tc)
Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On)
-
On-Resistenz (max) op verschidden Id, Vgs
-
Vgs (th) (maximal) bei verschiddenen Ids
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10 V
Input Kapazitéit (Ciss) bei verschiddene Vds (max)
380pF @ 400V
FET Funktioun
-
Power dissipation (max)
125 W (Tc)
Betribssystemer Temperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Installatioun Typ
Uewerfläch Mount Typ
Fournisseur Apparat Verpakung
PG-DSO-20-87
Package / Uschloss
20-PowerSOIC (0,433 ″, 11,00 mm breet)
Basis Produit Zuel
IGOT60
Medien an Downloads
RESOURCE TYPE
LINK
Spezifikatioune
IGOT60R070D1
GaN Auswiel Guide
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
Aner Zesummenhang Dokumenter
GaN an Adapter / Ladegeräter
GaN am Server an Telecom
Realitéit an Qualifikatioun vun CoolGaN
Firwat CoolGaN
GaN am Wireless Laden
Video Datei
CoolGaN™ 600V e-Modus HEMT Hallefbréck Evaluatiounsplattform mat GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ - dat neit Kraaftparadigma
2500 W voll-Bréck Totempol PFC Evaluatiounsplat mat CoolGaN™ 600 V
HTML Spezifikatioune
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
IGOT60R070D1
Ëmwelt an Export Klassifikatioun
ATRIBUTES
BESCHREIWEN
RoHS Status
Kompatibel mat ROHS3 Spezifizéierung
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Stonnen)
REACH Status
Net-REACH Produkter
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
